Palitra21.ru

Домашний уют — журнал
12 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Транзисторы П213 и КТ815

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора11,5 Вт(на радиаторе).

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

Транзистор КТ815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7Гв1 транзистор характеристики

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Корпус:

Uкбо— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо— Обратный ток коллектора
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Хорошие транзюки.В блоки питания сую их,пробовал грузить их до 2ампер,держат но не все.Некоторые сгорают.Но на 1.8ампера при радиаторе 350кв.см простоял под нагрузкой 4.5часа,температура 78с°…не сгорел,все о.к.Так что транзюки эти хорошие.

Читать еще:  Нож для резьбы по дереву из старого напильника

KT817G
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Основная классификация транзисторов, параметры

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.

Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:

  • транзисторы малой мощности,
  • транзисторы средней мощности,
  • транзисторы большой мощности.

По частоте транзисторы делят на:

  • низкочастотные,
  • среднечастотные,
  • высокочастотные,
  • сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:

  • германиевые,
  • кремниевые.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

  • статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
  • статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
  • обратный ток коллектора Іко;
  • граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

  • напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
  • максимальный ток стока Іс. макс;
  • напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
  • входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

Транзистор — один из самых распространённых элементов радиоаппаратуры. Есть полевые и биполярные транзисторы. У полевых транзисторов управление происходит с помощью электрического поля. Они имеют три вывода: исток, затвор и сток (иногда корпус). У биполярного транзистора соответственно: эмиттер, база и коллектор, (иногда тоже есть корпусной вывод).

Основная классификация транзисторов

Основная классификация транзисторов ведется по материалу, мощности, проводимости, частоты…

По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

Основные параметры

биполярных и полевых транзисторов

UКБО — максимально допустимое напряжение коллектор — база;

UКБО И — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;

UКЭО — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер;

UКЭО И — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;

UКЭН — напряжение насыщения коллектор — эмиттер;

UСИ max — максимально допустимое напряжение сток — исток;

UСИО — напряжение сток — исток при оборванном затворе;

UЗИ max — максимально допустимое напряжение затвор — исток;

UЗИ ОТС — Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);

UЗИ ПОР — Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с изолированным затвором и п-каналом);

IK max — максимально допустимый постоянный ток коллектора;

IK max и — максимально допустимый импульсный ток коллектора;

IC max — максимально допустимый постоянный ток стока;

IC нач — начальный ток стока;

IC ост — остаточный ток стока;

IКБО — обратный ток коллектора;

РК max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;

РК max т — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;

Читать еще:  Регулировка Карбюратора Бензопилы Хускварна 240 Своими Руками

РСИ max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток;

H21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

RСИ ОТК — сопротивление сток — исток в открытом состоянии;

S — крутизна характеристики;

fГР. — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

КШ — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Цоколевка биполярных и полевых транзисторов

Система обозначений

По старой системе обозначений, введенной ещё до 1964 г. в обозначение транзистора входит буква и цифры. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

  • 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
  • 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
  • 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

  • 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
  • 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
  • 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например, П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП 39 Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть:

  • Г или 1 — германий,
  • К или 2 — кремний,
  • А или 3 — арсенид галлия,
  • И или 4 — индий.

2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах Транзисторы средней мощности , 0,3

4 — средней мощности низкочастотный;
5 — средней мощности среднечастотный;
6 — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности , Рmах >1,5 Вт:

7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

Рассмотрим методы подключения к питанию цифровых приборов, сделанных самостоятельно, на микроконтроллерах. Любое электронное устройство требует для нормальной работы правильное подключение питания. Блок питания рассчитывается на определенную мощность. На его выходе устанавливается конденсатор значительной величины емкости для выравнивания импульсов напряжения.

Блоки питания без стабилизации, применяемые для роутеров, сотовых телефонов и другой техники, не сочетаются с питанием микроконтроллеров напрямую. Выходное напряжение этих блоков изменяется, и зависит от подключенной мощности. Исключением из этого правила являются зарядные блоки для смартфонов с USB портом, на котором выходит 5 В.

Схема работы стабилизатора, сочетающаяся со всеми микросхемами этого типа:

Если разобрать стабилизатор и посмотреть его внутренности, то схема выглядела бы следующим образом:

Для электронных устройств не чувствительных к точности напряжения, такой прибор подойдет. Но для точной аппаратуры нужна качественная схема. В нашем случае стабилизатор 7805 выдает напряжение в интервале 4,75-5,25 В, но нагрузка по току не должна быть больше 1 А. Нестабильное входное напряжение колеблется в интервале 7,5-20 В. При этом выходное значение будет постоянно равно 5 В. Это является достоинством стабилизаторов.

При возрастании нагрузки, которую может выдать микросхема (до 15 Вт), прибор лучше обеспечить охлаждением вентилятором с установленным радиатором.

Работоспособная схема стабилизатора:

  • Наибольший ток 1,5 А.
  • Интервал входного напряжения – до 40 вольт.
  • Выход – 5 В.

Во избежание перегрева стабилизатора, необходимо поддерживать наименьшее входное напряжение микросхемы. В нашем случае входное напряжение 7 вольт.

Читать еще:  Технология и оборудование для торцовки пиломатериалов

Лишнюю величину мощности микросхема рассеивает на себе. Чем выше входное напряжение на микросхеме, тем выше потребляемая мощность, которая преобразуется в нагревание корпуса. В итоге микросхема перегреется и сработает защита, устройство отключится.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

КодСопротивление
101100 Ом
471470 Ом
1021 кОм
1221.2 кОм
10310 кОм
12312 кОм
104100 кОм
124120 кОм
474470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Навигация по записям

т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Ссылка на основную публикацию
ВсеИнструменты
Adblock
detector